
Сообщение от
Мусатов Константин
И это и есть главное заблуждение. Пусть сигнал, необходимый для работы 1 мВ. Входной транзистор будет работать в режиме 100 мкА и 10 В. 100 мкА - это приведенная крутизна дифкаскада 2 мА/В. Значит сигнальный ток будет 2 мкА. Изменение теплорассеяния транзистора будет 20 мкВт. Входной транзистор имеет характерный размер 100 мкм. Эффективная теплопроводность площади транзистора 150 мкВт/К. Делим и получаем 0,13 К. Умножаем на 2,5 мВ/К и имеем 0,3 мВ. Сигнал - 1 мВ, ошибка 0,3 мВ. Нравится?
В стационарных сигналах это не обнаружить. На синусе это не проявляется, поскольку, как ты заметишь, функция линейная и тепловая модуляция на синусе просто дает фазовое запаздывание, которое давится глубиной ООС. А вот на нестационарных сигналах уже не все так хорошо. Но на них измерения делать сложно. Кстати, если взять классические транзисторы 3102/07 и их импортные аналоги, то постоянная времени прогрева и остывания кристалла порядка 3 мс, что очень сопоставимо с характерными временами чувствительности слуха.